特許
J-GLOBAL ID：200903066080804969
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-025324
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244287
出願日： 1993年02月15日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板温度の上昇に伴う放出水分が導電膜層に取り込まれ、膜質が劣化するのを防止する。【構成】 P型半導体基板21上に第1の層間絶縁層22を形成する。第1の層間絶縁層22の所定位置に第1の接続孔24を形成する。第1の接続孔24を含む領域に第1の導電層23を形成する。所定形状に形成された第1の導電層23上に第2の層間絶縁層26として、下層を酸化珪素層26Aで、中間層を無機シリカあるいは有機シリカを用いた酸化珪素層26Bで、上層を酸化珪素層26Cで形成する。第2の層間絶縁膜26の所定位置に第2の接続孔25を形成する。第2の接続孔25の第1の導電層23上の酸化膜を除去し、さらに半導体基板21を冷却した後、第2の接続孔を少なくとも含む領域に第2の導電層27を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上の所定領域に第1の絶縁物層を形成する工程と、前記第1の絶縁物層に前記半導体基板が露出する第1の接続孔を形成する工程と、露出した前記半導体基板表面の第1の酸化物層を除去する工程と、前記半導体基板表面を含む領域に第1の導電層を形成する工程と、前記半導体基板上に第2の絶縁物層を形成する工程と、前記第2の絶縁物層に第2の接続孔を形成し前記第1の導電層を露出する工程と、前記第1の導電層上の第2の酸化物層を除去したのち大気にさらすことなく半導体基板を冷却する工程と、大気にさらすことなく第2の導電層を形成する工程と、前記半導体基板を熱処理する工程とを含む半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/90
, H01L 21/28 301
, H01L 21/3205
