特許
J-GLOBAL ID：200903066081553137
半導体装置のマスク層および二重ダマシーン相互接続構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡部 正夫 (外10名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-337918
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197738
出願日： 2002年11月21日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 トレンチがミスアライメントされても、バイアの寸法が低減されない相互接続構造を形成する方法を提供する。【解決手段】 4つのマスク・フィルムを有するマスク層57が使用される。第1のマスク・フィルム58および第3のマスク・フィルム60は、実質的に等しいエッチング速度を有する。第2のマスク・フィルム59および第4のマスク・フィルム61は、実質的に等しいエッチング速度を有し、このエッチング速度は、第1および第3のマスク・フィルムのエッチング速度とは異なる。バイアが、第1のマスク・フィルムにエッチングされる。その後、トレンチが、マスク層の第3のマスク・フィルムにエッチングされる。バイアおよびトレンチは、その後、誘電体材料にエッチングされる。第2、第3および第4のマスク・フィルムは取り除かれ、第1のマスク・フィルムは、誘電体材料のためのパッシベーション層として残る。
請求項（抜粋）：
半導体装置の相互接続構造を形成する方法であって、前記相互接続構造は、下の相互接続層を覆って堆積される誘電体材料を有し、かつ下の導電体と前記誘電体材料の上方部分におけるトレンチとの間の接続を確立するために、前記誘電体材料中に延長するバイアを有し、(a)前記誘電体材料上にマスク層を形成するステップと、(b)前記マスク層の第1の所定の深さまで、前記マスク層にバイアを形成するステップと、(c)前記マスク層に形成された前記バイアの前記第1の所定の深さと異なる深さである前記マスク層の第2の所定の深さまで、前記マスク層にトレンチを形成するステップと、(d)前記マスク層に形成された前記バイアの寸法に対応して、前記誘電体材料中に前記下の導体までバイアを形成するステップと、(e)前記誘電体材料に、前記マスク層に形成された前記トレンチの寸法に対応する前記誘電体材料の所定の深さまでトレンチを形成するステップとを含む方法。
Fターム (25件)：
5F033HH11
, 5F033JJ11
, 5F033MM02
, 5F033MM12
, 5F033MM13
, 5F033NN06
, 5F033NN07
, 5F033PP06
, 5F033PP15
, 5F033PP27
, 5F033QQ09
, 5F033QQ10
, 5F033QQ25
, 5F033QQ28
, 5F033QQ30
, 5F033QQ35
, 5F033QQ37
, 5F033QQ48
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033RR23
, 5F033TT02
, 5F033TT04
, 5F033XX15
, 5F033XX24
