特許

J-GLOBAL ID：200903066083238557

ドライエッチング装置

発明者： 古尾谷 周一
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-284982
公開番号（公開出願番号）：特開平8-144072
出願日： 1994年11月18日
公開日（公表日）： 1996年06月04日
要約：

【要約】【目的】 シリコン酸化膜のドライエッチングにおける選択比をより向上させ、かつこれのバラツキや変動を小さく抑制することを目的とする。【構成】 エッチングステージ5,石英天板2,チャンバー容器1の温度をそれぞれ所定の高温度値に制御保持し、エッチングステージ5の温度を室温以下の低温度に設定する。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハが装着される下部電極としてのエッチングステージと、そのエッチングステージを覆うように配設されたチャンバー容器とを備え、エッチングガスが導入された前記チャンバー容器上部より高周波電力を印加することにより得られるガスプラズマにより、前記エッチングステージ上の半導体ウエハのエッチング処理を行うドライエッチング装置において、前記エッチングステージと、それ以外の前記チャンバー容器を構成する各々の部分とに、それぞれ温度制御手段が設けられていることを特徴とするドライエッチング装置。

IPC (3件)：

C23F 4/00 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特公平4-042821
  
• 特開平3-215687
  
• 特公平5-060256