特許

J-GLOBAL ID：200903066091013564

半導体装置

発明者： 木下 嘉隆 ,  川島 行雄 ,  中村 英明
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 徳若 光政
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-054507
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169962
出願日： 1994年02月28日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：

【要約】【目的】 デバイス帯電による出力回路又は入力回路のESD破壊に対する保護回路と、効率的にデバイス帯電による出力回路又は入力回路のESD破壊に対する保護を可能にした半導体装置を提供する。【構成】 外部端子に一方のソース又はドレインが接続された出力MOSFETのゲートと上記外部端子の間に設けられて、ゲートが高電圧側電源端子に接続されて上記出力MOSFETと同じかそれより大きなチャンネル長を持つようにされたPチャンネル型の第1保護用MOSFET、又はそのゲートが低電圧側電源端子に接続され、上記出力MOSFETと同じかそれより大きなチャンネル長を持つようにされたNチャンネル型の第2保護用MOSFETを設ける。【効果】 デバイス帯電により外部端子が放電されたとき、上記保護用のMOSFETの一方がオン状態になって、同様にデバイス帯電により出力MOSFETのゲート側の電荷も放電させることができるのでESD破壊を防止することができる。

請求項（抜粋）：

外部端子に一方のソース又はドレインが接続された出力MOSFETと、かかる出力MOSFETのゲートと上記外部端子の間に設けられ、そのゲートが高電圧側電源端子に接続されて上記出力MOSFETと同じかそれより大きなチャンネル長を持つようにされたPチャンネル型の第1保護用MOSFET、又はそのゲートが低電圧側電源端子に接続されて上記出力MOSFETと同じかそれより大きなチャンネル長を持つようにされたNチャンネル型の第2保護用MOSFETとを備えてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/06

FI (3件)：

H01L 29/78 301 K ,  H01L 27/04 H ,  H01L 27/06 311 C