特許

J-GLOBAL ID：200903066091628410

液晶表示基板およびその製造方法

発明者： 磯田 高志 ,  廣島 實
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立デバイスエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-136076
公開番号（公開出願番号）：特開平9-281525
出願日： 1996年05月30日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】 いわゆる開口率を向上できるとともに、薄膜トランジスタの静電破壊防止を達成できる。【解決手段】 前記画素電極は絶縁膜を介してゲート信号線およびドレイン信号線に対して上層に形成されているとともに、その有効表示領域の以外の領域にて、それぞれの信号線との接続がなされる非線形抵抗素子を備え、この非線形抵抗素子は、それぞれ、前記ゲート信号線と同材料のゲート電極、前記薄膜トランジスタの半導体層と同材料の半導体層、ドレイン信号線と同材料のドレイン電極およびソース電極とを備えるMIS構造からなっているとともに、ゲート電極に対する他の電極との接続はコンタクト孔を通した前記画素電極と同材料の導電層を介してなされている。

請求項（抜粋）：

液晶を介して互いに対向配置される透明基板のうち一方の透明基板の液晶側の面に、x方向に延在しかつy方向に並設されたゲート信号線と、このゲート線信号と絶縁されてy方向に延在しかつx方向に並設されたドレイン信号線と、これらゲート信号線とドレイン信号線とで囲まれる領域に形成された薄膜トランジスタと画素電極とを備えた液晶表示基板において、前記画素電極は絶縁膜を介してゲート信号線およびドレイン信号線に対して上層に形成されているとともに、その有効表示領域の以外の領域にて、それぞれの信号線との接続がなされる非線形抵抗素子を備え、この非線形抵抗素子は、それぞれ、前記ゲート信号線と同材料のゲート電極、前記薄膜トランジスタの半導体層と同材料の半導体層、ドレイン信号線と同材料のドレイン電極およびソース電極とを備えるMIS構造からなっているとともに、ゲート電極に対する他の電極との接続はコンタクト孔を通した前記画素電極と同材料の導電層を介してなされていることを特徴とする液晶表示基板。

IPC (2件)：

G02F 1/136 510 ,  H01L 29/786

FI (2件)：

G02F 1/136 510 ,  H01L 29/78 612 C