特許

J-GLOBAL ID：200903066093908437

半導体集積回路装置及びその製造方法

発明者： 貝原 光男 ,  大久保 秀 ,  丸山 隆子 ,  山中 誠司 ,  青田 秀幸
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-321326
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136373
出願日： 1991年11月08日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：

【要約】【目的】 素子分離領域の面積を小さくし、また、回路の柔軟性を高める。【構成】 MOSトランジスタ6aのチャネル領域8はイオン注入によりしきい値電圧が約6Vまで高められ、MOSトランジスタ6aは5V電源では動作しなくなり、その両側のMOSトランジスタ6,6を分離する。MOSトランジスタ6a上には配線14を配置し、又はゲート電極2aを配線として使用することにより配線効率を高める。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたソース・ドレイン部拡散領域と、これらの領域間のチャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを具備したMOSトランジスタを含む基本セルを縦方向及び横方向に複数個並べて形成された基本セル領域を有する半導体集積回路装置において、前記基本セル領域内の少なくとも1個のMOSトランジスタのチャネル領域の一部又は全てが同じ基本セル内の他の同一導電型MOSトランジスタのチャネル領域とは異なる不純物濃度を有することを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L 27/11 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/118

FI (2件)：

H01L 27/10 381 ,  H01L 21/82 M