現像装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松川克明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-118185
公開番号（公開出願番号）：特開平10-307469
出願日： 1997年05月08日
公開日（公表日）： 1998年11月17日
要約：

【要約】【課題】像担持体と所要間隔を介して対向する現像剤担持体により現像剤を像担持体と対向する現像位置に導いて現像を行なう現像装置において、点や線の画像の忠実再現性に優れると共に、一定した画像濃度を有する良好な画像が得られるようにする。【解決手段】静電潜像が形成される像担持体1と所要間隔Dsを介して対向する現像剤担持体11の表面に現像剤を保持させ、この現像剤担持体によって現像剤12を像担持体と対向する現像位置に搬送して現像を行なう現像装置において、現像剤担持体と像担持体とが対向する間隔を150 〜400 μmの範囲にすると共に、現像剤担持体として、導電性基体11c の表面に厚みtが50μm以上、比誘電率εが10以下で、上記の厚みtを比誘電率εで割った値(t/ε)が10〜50μmの範囲になった誘電体層11d が形成されたものを用いた。

請求項（抜粋）：

静電潜像が形成される像担持体と所要間隔を介して対向するように設けられた現像剤担持体の表面に現像剤を保持させ、この現像剤担持体によって現像剤を像担持体と対向する現像位置に搬送して現像を行なう現像装置において、上記の現像剤担持体と上記の像担持体とが対向する間隔を150〜400μmの範囲にすると共に、この現像剤担持体として、導電性基体の表面に厚みtが50μm以上、比誘電率εが10以下で、上記の厚みtを比誘電率εで割った値(t/ε)が10〜50μmの範囲になった誘電体層が形成されたものを用いたことを特徴とする現像装置。

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開平2-201470
特開平3-141377
特開昭60-254161

審査官引用 (3件)

特開平2-201470
特開平3-141377
特開昭60-254161

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