特許

J-GLOBAL ID：200903066095847869

半導体記憶装置

発明者： 塚本 幸寛
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-218187
公開番号（公開出願番号）：特開平5-054663
出願日： 1991年08月29日
公開日（公表日）： 1993年03月05日
要約：

【要約】【目的】 複数のメモリセルに対しシリアルにデータの読出し、書込みをするときにプリアンプの動作による大きい電流が流れないようにする。【構成】 n個のメモリセルブロックM1 ,M2 ,M3 ,M4 ...Mn と、これらのメモリセルブロックM1 ,M2 ,M3 ,M4 ...Mn と各別に接続したプリアンプPA1 ,PA2 ,PA3 ,PA4 ...PAn と、これらのプリアンプPA1 ,PA2 ,PA3 ,PA4 ...PAn と各別に接続されたメインアンプMA1 ,MA2 ,MA3 ,MA4 ...MAn と、プリアンプPA1 ,PA2 ,PA3 ,PA4 ...PAn に順次入力させるプリアンプ活性化信号を出力するプリアンプ活性化信号回路SPとを備える。

請求項（抜粋）：

複数のメモリセルブロックに各別に接続された複数のプリアンプを動作させて、メモリセルブロックに対しシリアルにデータの読出し及び/又は書込みをする半導体記憶装置において、前記複数のプリアンプに順次入力すべき信号を出力する手段を備え、前記信号によりプリアンプを順次動作すべく構成してあることを特徴とする半導体記憶装置。