特許
J-GLOBAL ID：200903066097140355
電子放出素子
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-233745
公開番号（公開出願番号）：特開平7-085778
出願日： 1993年09月20日
公開日（公表日）： 1995年03月31日
要約：
【要約】【目的】従来の垂直蒸着と斜方蒸着を同時に用いたものに比べ比較的簡単なプロセスで異方性エッチングと等方性エッチングを用いて電子放出素子を作製する。【構成】導電性基板10上に、絶縁層11と、前記絶縁層11上にゲート電極層12と、前記絶縁層11及びゲート電極層12の両層に亘って孔設された所要の大きさ及び形状の複数のパターン状空洞部20と、該空洞部20内底部相当部の前記導電性基板10上にエミッタ電極層14を備えた電子放出素子において、空洞部20内底部相当部の導電性基板10上に形成された平坦状のエミッタ電極層14を備え、該電極層外周部下側相当部の導電性基板10に適宜深度のエッチング凹部10aが形成されている電子放出素子。
請求項（抜粋）：
導電性基板10上に絶縁層11と、前記絶縁層11上にゲート電極層12と、前記絶縁層11及びゲート電極層12の両層に亘って孔設された所要の大きさ及び形状の複数のパターン状空洞部20と、該空洞部20底部相当部の前記導電性基板10上にエミッタ電極層14を備えた電子放出素子において、空洞部20底部相当部の導電性基板10上に形成された平坦状のエミッタ電極14を備え、該エミッタ電極層14外周部下側相当部の導電性基板10に適宜深度のエッチング凹部10aが形成されていることを特徴とする電子放出素子。
IPC (3件)：
H01J 1/30
, G09F 9/30
, G09F 9/00 337
