特許

J-GLOBAL ID：200903066102284379

ケイ素ポリマー、膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料

発明者： 徐 榮秀 ,  西川 通則 ,  山田 欣司
出願人/特許権者： ジェイエスアール株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-289836
公開番号（公開出願番号）：特開2002-097274
出願日： 2000年09月25日
公開日（公表日）： 2002年04月02日
要約：

【要約】【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、塗膜の比誘電率が小さく、クラック耐性や機械的強度や密着性に優れたシリカ系膜が形成可能な膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料を得る。【解決手段】 (A)テトラハロゲン化炭素(B)テトラハロゲン化ケイ素および(C)下記一般式(1)で表される化合物、一般(2)で表される化合物および一般式(3)で表される化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物R10nSiX4-n ・・・・・(1)R10nCX4-n ・・・・・(2)R10MgX ・・・・・(3)(式中、R10は1価の有機基、Xはハロゲン原子であり、nは1〜3の整数である。)を金属リチウムおよび金属マグネシウムもしくはいずれか一方の存在下で反応させてなるケイ素ポリマー。

請求項（抜粋）：

(A)テトラハロゲン化炭素(B)テトラハロゲン化ケイ素および(C)下記一般式(1)で表される化合物、一般(2)で表される化合物および一般式(3)で表される化合物からなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物R10nSiX4-n ・・・・・(1)R10nCX4-n ・・・・・(2)R10MgX ・・・・・(3)(式中、R10は1価の有機基、Xはハロゲン原子であり、nは1〜3の整数である。)を金属リチウムおよび金属マグネシウムもしくはいずれか一方の存在下で反応させてなるケイ素ポリマー。

IPC (9件)：

C08G 77/60 ,  C08L 83/04 ,  C08L 83/16 ,  C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  C09D183/16 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316

FI (9件)：

C08G 77/60 ,  C08L 83/04 ,  C08L 83/16 ,  C09D183/02 ,  C09D183/04 ,  C09D183/14 ,  C09D183/16 ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G

Fターム (36件)：

4J002CP011 ,  4J002CP032 ,  4J002CP211 ,  4J002GH00 ,  4J002GQ01 ,  4J035JA01 ,  4J035JA04 ,  4J035JB03 ,  4J038DL022 ,  4J038DL042 ,  4J038DL072 ,  4J038DL162 ,  4J038DL171 ,  4J038HA066 ,  4J038HA076 ,  4J038HA476 ,  4J038KA03 ,  4J038KA04 ,  4J038MA07 ,  4J038MA09 ,  4J038NA11 ,  4J038NA12 ,  4J038NA21 ,  4J038PA19 ,  4J038PB09 ,  4J038PC02 ,  5F058AA08 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5F058BA10 ,  5F058BC05 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ02