特許
J-GLOBAL ID：200903066104555361
半導体ウエハの製造方法および半導体集積回路装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-287580
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129258
出願日： 1991年11月01日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：
【要約】【目的】 厚い絶縁層上に極薄の半導体単結晶層が形成されたSOIウエハを製造する。【構成】 SOIウエハを製造する際に、SIMOXウエハと表面酸化ウエハとを加熱処理により接着して接着ウエハを製造した後(工程102)、SIMOXウエハの裏面を埋め込み絶縁層が露出するまで研磨し(工程103)、さらに、その露出させた埋め込み層をエッチング除去(工程104)して、表面酸化ウエハの厚い絶縁層上に、SIMOXウエハの極薄で均一性の良い半導体単結晶層のみを残す。
請求項（抜粋）：
SIMOX法により製造された第1半導体ウエハの半導体単結晶層を第2半導体ウエハの鏡面に形成された絶縁層に接触させた状態で、前記第1半導体ウエハと前記第2半導体ウエハとを加熱して接着する工程と、その接着工程後の第1半導体ウエハの裏面を第1半導体ウエハの内部に形成された埋め込み絶縁層が露出するまで研磨する工程と、その露出された埋め込み絶縁層をエッチング除去する工程とを有することを特徴とする半導体ウエハの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 321
, H01L 27/12
