特許
J-GLOBAL ID：200903066107583277
半導体薄膜形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-054097
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263344
出願日： 1994年03月24日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】 微粒子の除去された高品質の半導体薄膜や高品質な半導体ディバイスを作製する。【構成】 チャンバー1内に水素等のガスを導入しながら、電子ビームB1等の加熱手段によりターゲット3を溶融させる。ターゲット3の溶融部分を、UVレーザービームB2の照射により蒸発させて基板10上に堆積させる。ターゲット3の溶融部分が原子状に蒸発し、ガス中での気相反応も促進される。複数種のターゲット1を順番に蒸着させることにより、高品質な複数種の半導体が積層された半導体ディバイスを、ドーピングガスを使用せずに製造できる。
請求項（抜粋）：
ターゲットにレーザーを照射して基板上に半導体薄膜を蒸着する半導体薄膜形成方法において、該ターゲットを溶融させる工程と、溶融した該ターゲットにレーザーを照射して該基板上に半導体薄膜を蒸着する工程とを具備する半導体薄膜形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/203
, C23C 14/28
, H01L 21/285
