特許
J-GLOBAL ID：200903066110323880
半導体プラズマ処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
竹内 澄夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-311051
公開番号（公開出願番号）：特開平11-135438
出願日： 1997年10月28日
公開日（公表日）： 1999年05月21日
要約：
【要約】【課題】一様で,安定かつ高密度なプラズマを生成する誘導結合プラズマ処理装置を与える。【解決手段】被処理体をプラズマによって処理する半導体プラズマ処理装置は,被処理体を内部で処理するための排気された反応室と,反応室内部にあって,複数の直線状導体から成るアンテナと,複数の直線状導体の一端に接続されたRF高周波電源とから成る。当該アンテナは,互いに等間隔にアンテナの中心から放射状に配置された少なくとも3本の直線状導体から成り,該直線状導体の各々は一端が接地され他端が前記RF高周波電源に接続されている。また当該アンテナの直線状導体の表面は絶縁処理されている。さらに,本発明にかかるプラズマ処理装置は,誘導電場と直交する方向に磁場を発生させるための電磁石から成る。
請求項（抜粋）：
被処理体をプラズマによって処理する半導体プラズマ処理装置であって,前記被処理体を内部で処理するための排気された反応室と,前記反応室内部にあって,複数の直線状導体から成るアンテナと,前記複数の直線状導体の一端に接続されたRF高周波電源と,から成る半導体プラズマ処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 21/3065
, H05H 1/46
H01L 21/205
, H05H 1/46 L
, H01L 21/302 B
