特許

J-GLOBAL ID：200903066112631468

多波長発光素子

発明者： 中井 昭暢 ,  池田 正清
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-204522
公開番号（公開出願番号）：特開平9-055538
出願日： 1995年08月10日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：

【要約】【目的】 同一の基板上に形成した1つの素子からなるフルカラーの発光素子を提供することにある。【構成】 同一基板1上に、GaP系化合物半導体からなる発光ダイオード部24を積層し、該発光ダイオード部24上に、GaN系化合物半導体からなる発光ダイオード部25、26を積層して構成し、発光ダイオード部24と発光ダイオード部25の間に絶縁層としてZnO膜5を介在させる。

請求項（抜粋）：

同一基板上に、GaP系、AlGaAs系、またはAlGaInP系化合物半導体からなる発光ダイオード部を少なくとも1個積層し、該発光ダイオード部上に、GaN系化合物半導体からなる発光ダイオード部を1個以上積層して備えたことを特徴とする多波長発光素子。