特許
J-GLOBAL ID：200903066116403699
半導体記憶装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-132973
公開番号（公開出願番号）：特開平5-326979
出願日： 1992年05月26日
公開日（公表日）： 1993年12月10日
要約：
【要約】 (修正有)【構成】本発明の半導体記憶装置はSASを用いて製造する際、共通ソース領域のフィールド酸化膜203を除去し半導体基板を露出させた露出部214の幅がワード線の間隔よりも大きいことを特徴とする。【効果】本発明を用いると、フィールド酸化膜に形成した溝の底部に形成した共通ソース配線領域の抵抗を減らすことができ、高速化が図れる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に縞状に複数本間隔をあけて形成されたフィールド酸化膜と、このフィールド酸化膜の間に形成されたゲート絶縁膜と、前記フィールド酸化膜と直交し前記フィールド酸化膜上と前記ゲート絶縁膜上とに複数本間隔をあけて配設された導電性のワード線と、このワード線をマスクの一部として前記フィールド酸化膜と前記ゲート絶縁膜とを選択的に除去し前記半導体基板を露出し不純物を拡散させることにより形成した共通ソース領域とを有する半導体記憶装置において、前記共通ソース領域の前記フィールド酸化膜を除去し前記半導体基板を露出させた露出部の幅が前記ワード線の間隔よりも大きいことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (3件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
