特許
J-GLOBAL ID：200903066116890352
シリコン系薄膜光電変換装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-151847
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058892
出願日： 1999年05月31日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：
【要約】【課題】 プラズマCVD法による低温プロセスを用いて形成される結晶質シリコン系薄膜光電変換層を含む光電変換装置の低コスト化と高性能化を図る。【解決手段】 シリコン系薄膜光電変換装置は、基板1、光反射性金属膜102を有する裏面電極10、少なくとも1つのシリコン系光電変換ユニット11、および前面透明電極2を含み、光反射性金属膜102および前面透明電極2の少なくとも一方はシリコン系光電変換ユニット側の面において表面凹凸形状を有し、凹凸の高低差が0.01〜2μmの範囲内にあるとともに、凹凸のピッチが高低差より大きくかつその25倍以下の範囲内にある。
請求項（抜粋）：
基板、光反射性金属膜を有する裏面電極、少なくとも1つのシリコン系光電変換ユニット、および前面透明電極を含み、前記光反射性金属膜および前記前面透明電極の少なくとも1つはシリコン系光電変換ユニット側の面において表面凹凸構造を有し、凹凸の高低差が0.01〜2μmの範囲内にあるとともに、凹凸のピッチが前記高低差より大きくかつその25倍以下の範囲内にあることを特徴とするシリコン系薄膜光電変換装置。
FI (2件)：
H01L 31/04 F
, H01L 31/04 M
