特許
J-GLOBAL ID:200903066116985582

ポジ型レジスト組成物

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小栗 昌平 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-362629
公開番号(公開出願番号):特開2003-241386
出願日: 2002年12月13日
公開日(公表日): 2003年08月27日
要約:
【要約】【課題】 160nm以下、特にF2エキシマレーザー光(157nm)の露光光源の使用に好適なポジ型レジスト組成物を提供することであり、具体的には157nmの光源使用時に十分な透過性を示し、デフォーカスラチチュードが広く、ラインエッジラフネスが発生し難く、現像液で現像した際にレジスト膜が実質的に完全に溶解してネガ化の懸念がなく、ラインアンドスペースパターンの裾引きが小さいポジ型レジスト組成物を提供する。【解決手段】 (A)ポリマー骨格の主鎖及び/又は側鎖にフッ素原子が置換した構造を有し、且つ酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度を増大する基を有するフッ素基含有樹脂及び(B)活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する酸発生剤を含有し、且つ(B)酸発生剤が芳香環を有さないスルホニウム塩又はフェナシルスルホニウム塩構造を有する化合物であることを特徴とするポジ型レジスト組成物。
請求項(抜粋):
(A)ポリマー骨格の主鎖及び/又は側鎖にフッ素原子が置換した構造を有し、且つ酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度を増大する基を有するフッ素基含有樹脂及び(B)活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する酸発生剤を含有し、且つ(B)酸発生剤が芳香環を有さないスルホニウム塩又はフェナシルスルホニウム塩構造を有する化合物であることを特徴とするポジ型レジスト組成物。
IPC (2件):
G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027
FI (2件):
G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R
Fターム (17件):
2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB10 ,  2H025CB14 ,  2H025CB16 ,  2H025CB41 ,  2H025FA17
引用特許:
出願人引用 (4件)
  • 国際公開第00/17712号パンフレット(WO-00/17712号)
  • 欧州特許出願公開第1041442A1号明細書
  • 欧州特許出願公開第1113334A1号明細書
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