特許

J-GLOBAL ID：200903066119630688

半導体集積回路用リードフレーム

発明者： 大竹 康治 ,  川上 義美
出願人/特許権者： 株式会社東電化
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-168248
公開番号（公開出願番号）：特開2001-313361
出願日： 2000年04月28日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
要約：

【要約】【課題】半導体集積回路用リードフレーム用に供するPPF(Palladium Pre Plating Lead Frame)において使用されるパラジウムの価格高騰に伴うコスト低減を目的にした代替めっき構成を提供する。【解決手段】下地ニッケルめっきを全面に施した銅合金等のリードフレームにおいて、少なくともアウターリード部表面に極薄の金を全面にめっきし、インナーリード一部(接合部)にのみ選択的に金めっきする構造とした。

請求項（抜粋）：

半導体集積回路に用いるリードフレームにおいて、素材表面に厚さ0.3〜1.5μmの可尭性に優れた下地Niめっきを施した後、ワイヤーボンディングされる全てのインナーリードの先端部にリング状に0.01〜0.5μmの比較的厚いAuめっきを、またすくなくともアウターリード部には0.003〜0.02μmの極薄Auめっき、または0.01〜3重量%のNi、Coのいずれかもしくは両方を含有する極薄硬質Au合金めっきを施したことを特徴とする半導体集積回路用リードフレーム。

IPC (4件)：

H01L 23/50 ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 21/60

FI (4件)：

H01L 23/50 D ,  C25D 7/12 ,  H01L 21/60 301 B ,  H01L 21/60 301 M

Fターム (17件)：

4K024AA03 ,  4K024AA11 ,  4K024AA24 ,  4K024AB02 ,  4K024BA02 ,  4K024BA09 ,  4K024BB13 ,  4K024BC10 ,  4K024GA14 ,  4K024GA16 ,  5F044AA01 ,  5F044GG01 ,  5F067BB10 ,  5F067DC12 ,  5F067DC13 ,  5F067DC18 ,  5F067DC20