特許
J-GLOBAL ID：200903066120170984
磁気抵抗素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
有我 軍一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-059233
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275887
出願日： 1993年03月19日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：
【要約】【目的】本発明は、回路構成を複雑化することなく温度補償を行うことを第1の目的とし、アナログ用途における出力特性の変更に自在性を持たせることを第2の目的とする。【構成】請求項1記載の発明は、上記第1の目的を達成するために、強磁性体薄膜からなる磁気センサを形成した基板の近傍に非磁性体薄膜からなるパターンを配置し、該パターンをヒータとして使用して前記基板温度を調節し得るように構成したことを特徴とする。請求項2記載の発明は、上記第2の目的を達成するために、強磁性体薄膜からなる磁気センサを形成した基板の近傍に非磁性体薄膜からなるパターンを配置し、該パターンを電磁石として使用して前記磁気センサに対するバイアス磁界を発生し得るように構成したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
強磁性体薄膜からなる磁気センサを形成した基板の近傍に非磁性体薄膜からなるパターンを配置し、該パターンをヒータとして使用して前記基板温度を調節し得るように構成したことを特徴とする磁気抵抗素子。
IPC (3件)：
H01L 43/08
, G01R 33/06
, H01L 43/02
