特許
J-GLOBAL ID:200903066120512176

高電気抵抗R-T-B系焼結磁石およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-133596
公開番号(公開出願番号):特開2006-310660
出願日: 2005年04月28日
公開日(公表日): 2006年11月09日
要約:
【課題】 高磁気特性と高電気抵抗を両立させた、R-T-B系焼結磁石とその製造方法の提供。【解決手段】 DyF3および/またはTbF3とAl2O3とが添加されたR-T-B系合金微粉砕粉を準備する工程、前記微粉砕粉を成形、焼結、熱処理する工程、を含むR-T-B系焼結磁石の製造方法であって、焼結工程によって、結晶粒界に、少なくともRF3相と、Dyおよび/またはTbとAlの合金相とを生成させるとともに、主相となるR2T14B相の外郭部に、Dyおよび/またはTbが濃縮された濃縮層を形成させる。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
DyF3および/またはTbF3とAl2O3とが添加されたR-T-B系合金微粉砕粉(Rは、Yを含む希土類元素の少なくとも一種であり、NdまたはPrのいずれかが必ず含まれ、Tは、Feを必ず含み、Tの50%以下をCoで置換できる)を準備する工程、 前記微粉砕粉を成形、焼結、熱処理する工程、を含み、 前記焼結工程によって、結晶粒界に、少なくとも、RF3相と、Dyおよび/またはTbとAlの合金相とを生成させるとともに、主相となるR2T14B相の外郭部に、Dyおよび/またはTbが濃縮された濃縮層を形成させる高電気抵抗R-T-B系焼結磁石の製造方法。
IPC (7件):
H01F 41/02 ,  B22F 3/00 ,  B22F 3/24 ,  B22F 9/20 ,  C22C 38/00 ,  H01F 1/08 ,  H01F 1/053
FI (7件):
H01F41/02 G ,  B22F3/00 F ,  B22F3/24 B ,  B22F9/20 A ,  C22C38/00 303D ,  H01F1/08 B ,  H01F1/04 H
Fターム (26件):
4K017AA01 ,  4K017BA06 ,  4K017BB06 ,  4K017BB12 ,  4K017BB17 ,  4K017DA04 ,  4K017EA03 ,  4K018AA27 ,  4K018AA36 ,  4K018AB10 ,  4K018AC01 ,  4K018BA18 ,  4K018BC12 ,  4K018CA00 ,  4K018DA13 ,  4K018FA08 ,  4K018KA45 ,  5E040AA04 ,  5E040AA19 ,  5E040BD01 ,  5E040CA01 ,  5E040HB03 ,  5E040HB11 ,  5E040NN01 ,  5E062CD04 ,  5E062CG02
引用特許:
出願人引用 (1件)

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