特許
J-GLOBAL ID:200903066120512176
高電気抵抗R-T-B系焼結磁石およびその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-133596
公開番号(公開出願番号):特開2006-310660
出願日: 2005年04月28日
公開日(公表日): 2006年11月09日
要約:
【課題】 高磁気特性と高電気抵抗を両立させた、R-T-B系焼結磁石とその製造方法の提供。【解決手段】 DyF3および/またはTbF3とAl2O3とが添加されたR-T-B系合金微粉砕粉を準備する工程、前記微粉砕粉を成形、焼結、熱処理する工程、を含むR-T-B系焼結磁石の製造方法であって、焼結工程によって、結晶粒界に、少なくともRF3相と、Dyおよび/またはTbとAlの合金相とを生成させるとともに、主相となるR2T14B相の外郭部に、Dyおよび/またはTbが濃縮された濃縮層を形成させる。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
DyF3および/またはTbF3とAl2O3とが添加されたR-T-B系合金微粉砕粉(Rは、Yを含む希土類元素の少なくとも一種であり、NdまたはPrのいずれかが必ず含まれ、Tは、Feを必ず含み、Tの50%以下をCoで置換できる)を準備する工程、
前記微粉砕粉を成形、焼結、熱処理する工程、を含み、
前記焼結工程によって、結晶粒界に、少なくとも、RF3相と、Dyおよび/またはTbとAlの合金相とを生成させるとともに、主相となるR2T14B相の外郭部に、Dyおよび/またはTbが濃縮された濃縮層を形成させる高電気抵抗R-T-B系焼結磁石の製造方法。
IPC (7件):
H01F 41/02
, B22F 3/00
, B22F 3/24
, B22F 9/20
, C22C 38/00
, H01F 1/08
, H01F 1/053
FI (7件):
H01F41/02 G
, B22F3/00 F
, B22F3/24 B
, B22F9/20 A
, C22C38/00 303D
, H01F1/08 B
, H01F1/04 H
Fターム (26件):
4K017AA01
, 4K017BA06
, 4K017BB06
, 4K017BB12
, 4K017BB17
, 4K017DA04
, 4K017EA03
, 4K018AA27
, 4K018AA36
, 4K018AB10
, 4K018AC01
, 4K018BA18
, 4K018BC12
, 4K018CA00
, 4K018DA13
, 4K018FA08
, 4K018KA45
, 5E040AA04
, 5E040AA19
, 5E040BD01
, 5E040CA01
, 5E040HB03
, 5E040HB11
, 5E040NN01
, 5E062CD04
, 5E062CG02
引用特許:
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