特許

J-GLOBAL ID：200903066120941980

正特性サーミスタおよびその製造方法

発明者： 後藤 泰司 ,  幡野 惣子
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-261664
公開番号（公開出願番号）：特開平11-102802
出願日： 1997年09月26日
公開日（公表日）： 1999年04月13日
要約：

【要約】【課題】 特に室温での比抵抗値が低く、耐電圧の大きな正特性サーミスタを提供することを目的とする。【解決手段】 (Ba1-xSrx)m(Ti1-ySny)O3(ただし、0.005≦x≦0.02,0.001≦y≦0.03,0.97≦m≦1.0)で表される主成分に、副成分として希土類元素あるいはNb,Sb,Biの各酸化物のうち少なくとも1種類と、Si,Mnの各酸化物と、Na,Li,Kの各酸化物のうち少なくとも1種類とが含有されていることを特徴とする正特性サーミスタである。

請求項（抜粋）：

(Ba1-xSrx)m(Ti1-ySny)O3(ただし、0.005≦x≦0.02,0.001≦y≦0.03,0.97≦m≦1.0)で表される主成分に、副成分として希土類元素あるいはNb,Sb,Biの各酸化物のうち少なくとも1種類と、Si,Mnの各酸化物と、Na,Li,Kの各酸化物のうち少なくとも1種類とが含有されていることを特徴とする正特性サーミスタ。

IPC (4件)：

H01C 7/02 ,  C01G 23/00 ,  C01G 45/00 ,  C04B 35/46

FI (4件)：

H01C 7/02 ,  C01G 23/00 C ,  C01G 45/00 ,  C04B 35/46 D