特許
J-GLOBAL ID:200903066132916973
液晶表示装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
小野寺 洋二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-278161
公開番号(公開出願番号):特開2007-086657
出願日: 2005年09月26日
公開日(公表日): 2007年04月05日
要約:
【課題】 画素の開口率を向上させて明るい画像表示を実現する。【解決手段】 画素電極の少なくとも一部は、第1の絶縁膜を介して薄膜トランジスタと重畳し、画素電極は、第1の絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して薄膜トランジスタの出力電極と接続され、対向電極は、第2の絶縁膜を介して画素電極の上層に、画素電極と重畳して配置され、対向電極は、平面で見た時、第1の絶縁膜のコンタクトホールを避けた位置に形成され、対向電極の少なくとも一部は、薄膜トランジスタと重畳する。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
画素電極と対向電極と薄膜トランジスタとを有する第1の基板と、
前記第1の基板に対向する第2の基板と、
前記第1の基板と前記第2の基板との対向間隙に封入された液晶層とを有する液晶表示装置であって、
前記画素電極の少なくとも一部は、第1の絶縁膜を介して前記薄膜トランジスタと重畳し、
前記画素電極は、前記第1の絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタの出力電極と接続され、
前記対向電極は、第2の絶縁膜を介して前記画素電極の上層に、前記画素電極と重畳して配置され、
前記対向電極は、平面で見た時、前記第1の絶縁膜の前記コンタクトホールを避けた位置に形成され、
前記対向電極の少なくとも一部は、前記薄膜トランジスタと重畳することを特徴とする液晶表示装置。
IPC (3件):
G02F 1/134
, G02F 1/136
, G02F 1/133
FI (3件):
G02F1/1343
, G02F1/1368
, G02F1/1335 520
Fターム (24件):
2H091FA14Y
, 2H091FA41Z
, 2H091FB06
, 2H091FB08
, 2H091FD04
, 2H091FD23
, 2H091GA07
, 2H091HA06
, 2H091LA16
, 2H092GA14
, 2H092GA17
, 2H092GA29
, 2H092HA04
, 2H092HA05
, 2H092JA24
, 2H092JA41
, 2H092JB05
, 2H092JB06
, 2H092JB07
, 2H092JB16
, 2H092JB56
, 2H092KB25
, 2H092NA07
, 2H092QA06
引用特許:
出願人引用 (1件)
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液晶表示装置装置
公報種別:再公表公報
出願番号:JP2000006009
出願人:株式会社日立製作所
審査官引用 (3件)
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