特許

J-GLOBAL ID：200903066133123179

ショットキー電極、ショットキー電極の形成方法、半導体素子、及び半導体素子の製造方法

発明者： 昌原 鎬
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-259951
公開番号（公開出願番号）：特開2000-106444
出願日： 1998年09月14日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、耐熱性の優れたショットキー電極、耐熱性の優れたショットキー電極の形成方法、耐熱性の優れたショットキー電極を備えた半導体素子及びその製造方法を提供することが課題である。【解決手段】 SiCからなる半導体1と、半導体1上に形成されたNiを含むショットキー電極3と、からなる。

請求項（抜粋）：

SiCからなる半導体と、該半導体上に形成されたNiを含むショットキー電極と、を備えたことを特徴とするショットキー電極。

IPC (4件)：

H01L 29/872 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (4件)：

H01L 29/48 D ,  H01L 21/28 301 F ,  H01L 29/48 M ,  H01L 29/80 M

Fターム (19件)：

4M104AA03 ,  4M104BB05 ,  4M104CC03 ,  4M104DD33 ,  4M104DD34 ,  4M104DD79 ,  4M104GG03 ,  4M104GG12 ,  4M104HH20 ,  5F102FA04 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GT01 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F102HC11 ,  5F102HC21