特許
J-GLOBAL ID：200903066134174265
半導体加速度センサとその製造方法および試験方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷 義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-256587
公開番号（公開出願番号）：特開平8-122359
出願日： 1994年10月21日
公開日（公表日）： 1996年05月17日
要約：
【要約】【目的】 製造およびキャリブレーションが容易に実施可能で、かつ信頼度の高い半導体加速度センサー、また該センサーの試験方法および製造方法を提供することである。【構成】 半導体加速度センサは、シリコンウエハから一体加工され、おもり、支持枠、および上記おもりと上記支持枠とを連結する梁を有し、さらに上記梁の表面に半導体ストレンゲージが設けられたシリコン検出体と、該シリコン検出体の上記支持枠と静電接合したガラス基体とからなり、さらに上記おもりの下部と上記ガラスの表面との間に形成された隙間部を有する。
請求項（抜粋）：
半導体加速度センサにおいて、シリコンウエハから一体加工され、おもり、支持枠、および前記おもりと前記支持枠とを連結する梁を有し、さらに前記梁の表面に半導体ストレンゲージが設けられたシリコン検出体と、該シリコン検出体の前記支持枠と静電接合したガラス基体とからなり、さらに、前記おもりの下部と前記ガラスの表面との間に隙間部が形成されたことを特徴とする半導体加速度センサ。
IPC (3件)：
G01P 15/12
, G01P 21/00
, H01L 29/84
