特許
J-GLOBAL ID：200903066138740257
半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-244339
公開番号（公開出願番号）：特開平6-096593
出願日： 1992年09月14日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：
【要約】【構成】本発明の半導体記憶装置は電源電圧を昇圧し昇圧出力電圧を発生させる昇圧手段と、昇圧出力電圧を検知し検知信号を出力する検知手段と、検知信号に応じて昇圧手段を制御する昇圧制御手段とからなる高電圧発生回路を具備する。【効果】本発明を用いると、消費電力を抑えたまま、書き込み及び消去を高速に行うことができる。また、書き込み電流の低減、ビット線の充電時間(プリチャージ時間)の短縮及び外部高電圧電源の変動に対する安定性の向上という効果がある。
請求項（抜粋）：
電源電圧を昇圧し昇圧出力電圧を発生させる昇圧手段と、前記昇圧出力電圧を検知し検知信号を出力する検知手段と、前記検知信号に応じて前記昇圧手段を制御する昇圧制御手段とからなる高電圧発生回路を具備することを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (4件)：
G11C 16/06
, H01L 27/115
, H01L 29/788
, H01L 29/792
G11C 17/00 309 D
, H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
