特許

J-GLOBAL ID：200903066141053988

圧電磁器組成物及びその製造方法

発明者： 村上 健司 ,  伊藤 恵介 ,  王 小興
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-258481
公開番号（公開出願番号）：特開2000-086341
出願日： 1998年09月11日
公開日（公表日）： 2000年03月28日
要約：

【要約】【課題】高圧電歪特性を有するとともに、低温での焼成が可能なPbZrO3 -PbTiO3 組成系の圧電磁器組成物を提供する。【解決手段】PbZrO3 -PbTiO3 -Pb(Zn1/3 Sb2/3 )O3 を主体とし、Bi及びFeの元素をBiFeO3 に換算して5重量%≦BiFeO3 ≦15重量%の範囲で含有させるか、あるいはLiとBiならびにCd、B、Pb、Si、Znのうち少なくとも1種以上の元素をそれぞれLi2 CO3 、Bi2 O3 、CdCO3 、B2 O3 、Pb3 O4 、SiO2 、ZnOに換算して、0重量%2 CO3 ≦1.0重量%、0重量%2 O3 ≦1.0重量%、0重量%3 +B2 O3 +Pb3 O4 +SiO2 +ZnO≦2.0重量%の範囲でそれぞれ含有させて圧電磁器組成物を構成する。

請求項（抜粋）：

PbZrO3 -PbTiO3 -Pb(Zn1/3 Sb2/3 )O3を主体とし、Bi及びFeの元素をBiFeO3 に換算して5重量%≦BiFeO3 ≦15重量%の範囲で含有してなる圧電磁器組成物。

IPC (2件)：

C04B 35/49 ,  H01B 3/12 301

FI (2件)：

C04B 35/49 P ,  H01B 3/12 301

Fターム (32件)：

4G031AA01 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA21 ,  4G031AA24 ,  4G031AA26 ,  4G031AA28 ,  4G031AA30 ,  4G031AA32 ,  4G031AA34 ,  4G031AA35 ,  4G031BA10 ,  4G031GA01 ,  4G031GA02 ,  4G031GA11 ,  5G303AA10 ,  5G303AB15 ,  5G303AB20 ,  5G303BA12 ,  5G303CA01 ,  5G303CB02 ,  5G303CB05 ,  5G303CB07 ,  5G303CB13 ,  5G303CB16 ,  5G303CB25 ,  5G303CB28 ,  5G303CB30 ,  5G303CB35 ,  5G303CB38 ,  5G303CB39 ,  5G303DA01