特許

J-GLOBAL ID：200903066141487708

半導体装置とその製造方法

発明者： 藤井 邦宏 ,  井上 顕 ,  宮川 邦子 ,  三ケ木 郁
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-139050
公開番号（公開出願番号）：特開平9-320988
出願日： 1996年05月31日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：

【要約】【課題】 チタンシリサイドを用いたサリサイドプロセスにより製造する半導体装置において、耐熱性の高い、チタンシリサイド膜の形成方法を提供する。【解決手段】 不純物が拡散されたシリコン層107〜110上に、1原子%以上、10原子%以下のタングステンを含有したチタンを堆積し、その後、熱処理により、タングステンを含有したC49型構造のチタンシリサイド層を形成する。

請求項（抜粋）：

電極または配線を有する半導体装置であって、電極または配線は、800°C以上の熱処理後においても安定に存在する、C49型構造のチタンシリサイド膜、あるいは、不純物を含むC49型構造のチタンシリサイド膜を用いたものであることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/88 Q ,  H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体集積回路装置の製造方法および半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-141032   出願人：株式会社日立製作所