ドライエッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小池晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-011264
公開番号（公開出願番号）：特開平9-205078
出願日： 1996年01月25日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：

【要約】【課題】マスク材との選択比を確保することができ、被エッチング材料が再付着することがなく、しかもエッチングが速やかに進んでレジストマスクが十分に耐え得るドライエッチング方法を提供する。【解決手段】分子内にカルボニル基またはカルボキシル基を有する化合物を含む雰囲気中においてNi系金属薄膜をプラズマエッチングする。ここで、Ni系金属薄膜がNi薄膜であること、又、Ni-Fe合金薄膜であることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

分子内にカルボニル基またはカルボキシル基を有する化合物を含む雰囲気中においてNi系金属薄膜をプラズマエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , G11B 5/39

FI (5件)：

H01L 21/302 F , C23F 4/00 E , C23F 4/00 G , C23F 4/00 D , G11B 5/39

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