特許

J-GLOBAL ID：200903066147708560

薄膜トランジスタ,表示装置、およびその製造方法

発明者： 安藤 正彦 ,  若木 政利 ,  佐々木 洋
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-312080
公開番号（公開出願番号）：特開2005-079560
出願日： 2003年09月04日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：

【課題】 従来の有機薄膜トランジスタでは、絶縁膜表面に自己組織化単分子膜を配置して有機半導体膜全体の配向秩序を向上して、オン電流を増加してスイッチング性能を向上させた。一方、光リーク電流が増加して、光照射される環境下で薄膜トランジスタを利用する、液晶表示装置用アクティブマトリクス型薄膜トランジスタ基板などに適用した場合、光リーク電流に起因したスイッチング動作不良が生じ、表示不良を起こす問題があった。【解決手段】 自己組織化単分子膜を絶縁膜表面のゲート電極投影領域に選択的に且つ高精細に配置させ、有機半導体膜の配向秩序を、ゲート電極投影領域外の光照射部分では向上せず、ゲート電極投影領域内のみ選択的に向上する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に積層された、ゲート電極,ゲート絶縁膜,ソース電極,ドレイン電極,半導体膜,保護膜から構成される薄膜トランジスタにおいて、半導体膜が有機半導体分子の集合体で構成されており、絶縁膜表面のゲート電極投影領域内に形成された前記半導体膜部分の有機半導体分子の配向秩序が、前記領域外に形成された半導体膜部分の配向秩序よりも高いことを特徴とする薄膜トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L51/00

FI (5件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 617W ,  H01L29/78 627C ,  H01L29/28

Fターム (31件)：

5F110AA05 ,  5F110AA06 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE34 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG19 ,  5F110GG28 ,  5F110GG42 ,  5F110HK02 ,  5F110HK07 ,  5F110HK42 ,  5F110HM07 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN34 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ06 ,  5F110QQ12 ,  5F110QQ14