特許

J-GLOBAL ID：200903066149815631

高周波用電界効果トランジスタ

発明者： 渡辺 謙二
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-335979
公開番号（公開出願番号）：特開平5-251479
出願日： 1991年11月27日
公開日（公表日）： 1993年09月28日
要約：

【要約】【目的】 高周波用電界効果トランジスタにおける位相差による出力の低下、及び出力の合成損失を低減させる。【構成】 半導体基板11上に配設したゲート電極1、ソース電極2及びドレイン電極3からチップの短辺方向に延びるゲートバスライン5、ソースバスライン7、及びドレインバスライン6を所要の間隔をおいて平行に配設し、ゲートバスライン5とドレインバスライン6との間に活性層4を形成し、ゲートバスライン5からチップの長辺方向に向けて活性層4上にゲートフィンガ8を突出させ、ソースバスライン7及びドレインバスライン6から夫々突出されたソースフィンガ10及びドレインフィンガ9をゲートフィンガ8の両側に交互に配置する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を配設し、これら各電極からチップの短辺方向に延びる複数本のゲートバスライン、ソースバスライン、及びドレインバスラインを所要の間隔をおいて平行に配設し、前記各ゲートバスラインとドレインバスラインとの間に活性層を形成し、前記ゲートバスラインからチップの長辺方向に延びるゲートフィンガを活性層上に突出させ、前記ソースバスライン及びドレインバスラインから夫々ソースフィンガ及びドレインフィンガを前記ゲートフィンガの両側位置に交互に突出させたことを特徴とする高周波用電界効果トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/095

FI (3件)：

H01L 29/80 L ,  H01L 27/06 F ,  H01L 29/80 E

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭61-260680
  
• 特開昭51-062979
  
• 特開昭63-186480