特許
J-GLOBAL ID:200903066150280920

ウェハ貼着用粘着シートおよびこれを用いた半導体装置の製造方法並びにその半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴木 俊一郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-285323
公開番号(公開出願番号):特開平9-129577
出願日: 1995年11月01日
公開日(公表日): 1997年05月16日
要約:
【要約】【解決手段】 LOC構造の半導体装置を製造する際に、基材フィルムと、この上に形成された放射線硬化型ウェハ固定層とからなり、該放射線硬化型ウェハ固定層が、放射線硬化型接着剤部とポリイミド系樹脂部とが互いに重ならないようにパターンコートされてなり、該放射線硬化型接着剤部の面積と該ポリイミド系樹脂部の面積の比(放射線硬化型接着剤部/ポリイミド系樹脂部)が1/100〜100/1の範囲にあるウェハ貼着用粘着シートを用い、チップ裏面にポリイミド樹脂部を形成し、パッケージ成型用モールド樹脂で封止する。【効果】 製造された半導体装置にパッケージクラック等が発生せず、製品の信頼性を向上できるようになる。
請求項(抜粋):
基材フィルムと、この上に形成された放射線硬化型ウェハ固定層とからなり、該放射線硬化型ウェハ固定層が、放射線硬化型接着剤部とポリイミド系樹脂部とが互いに重ならないようにパターンコートされてなり、該放射線硬化型接着剤部の面積と該ポリイミド系樹脂部の面積の比(放射線硬化型接着剤部/ポリイミド系樹脂部)が1/100〜100/1の範囲にあるウェハ貼着用粘着シートであって、その表面に回路が形成されるウェハの裏面を前記放射線硬化型ウェハ固定層に貼付し、この状態で前記ウェハをチップ単体にダイシングし、洗浄し、乾燥し、放射線を照射して前記放射線硬化型接着剤部の粘着力を低下させ、次いで前記放射線硬化型ウェハ固定層を加熱し、その後、前記チップをチップ裏面にポリイミド系樹脂部を伴ってピックアップして、リードフレームにマウントし、ボンディングし、モールドして、前記チップ裏面の一部または全部がパッケージ成型用モールド樹脂に接する構造の半導体装置を製造する際に用いられるウェハ貼着用粘着シート。
IPC (3件):
H01L 21/301 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 21/68
FI (3件):
H01L 21/78 M ,  H01L 21/60 301 B ,  H01L 21/68 N
引用特許:
審査官引用 (2件)

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