特許
J-GLOBAL ID:200903066161394676

高純度で低誘電率のセラミックおよびハイブリッドセラミック薄膜を製造する方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 朝比 一夫 ,  増田 達哉
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-528745
公開番号(公開出願番号):特表2005-503312
出願日: 2001年09月14日
公開日(公表日): 2005年02月03日
要約:
多孔性セラミックおよびハイブリッドセラミック薄膜は、半導体の相互接続において低誘電率の中間層として有用である(ハイブリッドセラミック薄膜は、構造体中に有機性およびセラミック性分子成分を含む薄膜として、例えば、有機ケイ酸塩として定義される)。本発明は、薄膜の多孔率や誘電率に好ましくない影響をほとんど与えることなく、また薄膜の品質にも悪影響を与えることなく多孔性の誘電性薄膜の機械的一体性を向上させる点における湿潤処理の有用性を説明する(例示する実施例として特定の温度/湿度処理を用いる)。このような処理の有用性を、例として界面活性剤でテンプレートされたメソポーラスケイ酸塩薄膜を用いて説明する。また、本発明は、そのような誘電性薄膜用の高純度のアルカリ金属フリーのセラミックおよびハイブリッド前駆体とともに用いられる特定の群の添加剤について説明する。その添加剤は、要求される機械的一体性とともに、薄膜の多孔率、品質および低誘電率のよりよい制御を可能とする。そのような添加剤の有用性を、標準的な例として界面活性剤を鋳型としたメソポーラスケイ酸塩薄膜を用いて説明する。本発明は、あらゆる架橋したセラミックまたはハイブリッドセラミック薄膜(ケイ酸塩および有機ケイ酸塩薄膜、および低誘電率用途の特に高度に多孔質な形態の薄膜を含む)に広く適用可能である。本発明は、ナノメートルスケールの細孔を有する界面活性剤でテンプレートされたケイ酸塩薄膜に特に有効であることが分かった。どちらの実施形態でも、本発明は、蒸着により形成された繊維や粉末のような架橋した他の形態のものにも適用される。
請求項(抜粋):
多孔性セラミックまたは有機セラミック材料の形成方法であって、 a)セラミック前駆体溶液と細孔形成剤とを組み合わせて混合物とする工程と、 b)蒸発により前記混合物から材料を形成する工程と、 c)前記材料を加熱することにより前記細孔形成剤を実質上取り除く工程と、 d)湿潤環境へ晒すことにより前記多孔性材料を処理する工程と、を含むことを特徴とする方法。
IPC (7件):
C04B38/06 ,  B28B1/30 ,  B28B11/00 ,  C01B33/12 ,  C04B35/14 ,  C04B38/10 ,  C04B41/80
FI (7件):
C04B38/06 B ,  B28B1/30 101 ,  C01B33/12 C ,  C04B35/14 ,  C04B38/10 L ,  C04B41/80 A ,  B28B11/00 Z
Fターム (25件):
4G030AA37 ,  4G030BA09 ,  4G030CA08 ,  4G030CA09 ,  4G030GA24 ,  4G030GA27 ,  4G030GA33 ,  4G052DA04 ,  4G052DA08 ,  4G052DB02 ,  4G052DC01 ,  4G052DC09 ,  4G055AA08 ,  4G055AB05 ,  4G055BA12 ,  4G055BA14 ,  4G072AA25 ,  4G072BB09 ,  4G072BB15 ,  4G072GG03 ,  4G072HH50 ,  4G072JJ42 ,  4G072MM01 ,  4G072MM36 ,  4G072RR12

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