特許
J-GLOBAL ID:200903066162966983
電子材料用洗浄水、その製造方法および電子材料の洗浄方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
岩橋 文雄
, 坂口 智康
, 内藤 浩樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-073853
公開番号(公開出願番号):特開2004-281894
出願日: 2003年03月18日
公開日(公表日): 2004年10月07日
要約:
【課題】水素ガスのみを溶解した水素水で半導体基板を含む電子材料を洗浄した場合、同じ濃度の水素水でありながら洗浄能力の低下やばらつきが大きく、そのため半導体装置の不良の原因の一つになっている。【解決手段】本発明は、純水に窒素を飽和濃度の90%まで溶解させる工程と、その後に連続して水素を溶解させる工程により製造した窒素を含有し、溶存水素と溶存窒素の総和の飽和度が90%以上の水素水で電子材料を洗浄する。【選択図】 図3
請求項(抜粋):
電子材料を洗浄する水素水に窒素を含有することを特徴とする電子材料用洗浄水。
IPC (7件):
H01L21/304
, B01F1/00
, B08B3/08
, B08B3/12
, B08B7/04
, C11D7/04
, C11D7/60
FI (9件):
H01L21/304 647Z
, H01L21/304 642E
, H01L21/304 644Z
, B01F1/00 A
, B08B3/08 Z
, B08B3/12 A
, B08B7/04 A
, C11D7/04
, C11D7/60
Fターム (20件):
3B116AA03
, 3B116BA02
, 3B116BA12
, 3B116BB83
, 3B116CC03
, 3B201AA03
, 3B201BA02
, 3B201BA12
, 3B201BB83
, 3B201BB92
, 3B201CB01
, 3B201CC12
, 4G035AA01
, 4G035AE01
, 4H003BA12
, 4H003DA15
, 4H003DC04
, 4H003EA31
, 4H003ED02
, 4H003FA21
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