特許
J-GLOBAL ID：200903066167474868
半導体圧力センサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-286510
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121766
出願日： 1997年10月20日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：
【要約】【課題】SOI型圧力センサのMOS構造やリーク電流に起因する出力電圧の変動を防止すること。【解決手段】シリコンや金属等よりなる導電性の基板と、SiO2 等よりなる絶縁層と、歪みゲージが形成されたシリコン基板とを積層した構造を有するSOI型圧力センサにおいて、絶縁層の一部に設けたリード部によって、前記導電性の基板と前記歪みゲージ側のシリコン基板に設けられた電極等を電気的に接続し、前記導電性の基板の電位を固定する。さらにゲージの表面に酸化膜や、p型シリコンよりなるゲージにおいては、ゲージ表面に反対導電型の高不純物濃度のn型シリコン層を形成する。
請求項（抜粋）：
導電性の基板と、歪みゲージが形成されたシリコン基板とを絶縁層を介して積層した構造を有するSOI(Silicon On Insulator)型圧力センサにおいて、前記導電性の基板を、ある一定の電位を持つ部位に電気的に接続し、電位を固定したことを特徴とする半導体圧力センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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