特許
J-GLOBAL ID：200903066179174797
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-202130
公開番号（公開出願番号）：特開2004-153234
出願日： 2003年07月25日
公開日（公表日）： 2004年05月27日
要約：
【課題】電気抵抗を低減するとともに、半導体チップから発生する熱を効率よく外部に放出することが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、第1及び第2の主表面を有する半導体チップ11を含む。半導体チップ11は、第1主表面上に第1の電極11aを有し、第2主表面上に第2の電極11bを有する。第1のリードフレーム12は、第1の電極11aと接続された第1の接続部15と第1の端子部18とを有する。第2のリードフレーム13は、第2の電極11bと接続された第2の接続部16と第2の端子部19とを有する。ハウジング21は、半導体チップ11を封止し、第1及び第2の接続部15,16の表面の一部を覆わないよう形成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1主表面及び第2主表面を有し、前記第1主表面上に第1の電極を有し、前記第2主表面上に第2の電極を有する半導体チップと、
前記第1の電極と接続された第1のヒートシンク部と第1の端子部とを有する第1のリードフレームと、
前記第2の電極と接続された第2のヒートシンク部と第2の端子部とを有する第2のリードフレームと、
前記半導体チップを封止し、前記第1及び第2のヒートシンク部の表面の一部を覆わないよう形成されたハウジングとを具備した半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
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