特許
J-GLOBAL ID:200903066179439936

モノシクロペンタジエニル遷移金属触媒系による非晶質ポリ-α-オレフィンの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山崎 行造 (外1名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-502749
公開番号(公開出願番号):特表平8-512063
出願日: 1993年06月24日
公開日(公表日): 1996年12月17日
要約:
【要約】本発明は、第IVB族遷移金属成分及びアルモキサン成分を使用してα-オレフィン重合し、非晶質ポリ-α-オレフィンを製造する触媒プロセスである。
請求項(抜粋):
非晶質ポリ-α-オレフィンの製造方法であって、 (i) 1種以上のα-オレフィンを、重合条件下に、 (A) 活性化剤、及び (B) 式: で表される遷移金属成分であって、式中、 Mは、その最高の形式酸化状態の第IVB族金属であり; (C5H4-xRx)は、0乃至4個の置換基Rで対称的に置換されたシクロペンタジエニル環であり、xは置換の程度(x=0、2、又は4)を表し、各置換基Rは、独立して、C1〜C20のヒドロカルビル基、置換されたC1〜C20のヒドロカルビル基であって、1つ以上の水素原子がハロゲン基、アミド基、ホスフィド基、アルコキシ基又はルイス酸又は塩基官能性を有するその他の基、メタロイドが元素の周期表第IVA族から選ばれるC1〜C20ヒドロカルビル置換メタロイド基、及びハロゲン基、アミド基、ホスフィド基、アルコキシ基、アルキルボリド基、又はルイス酸又は塩基官能性を有するその他の基、から成る群から選択される基であり;或いは (C5H4-xRx)は、少なくとも2つの隣接したR基が一緒になってC4〜C20の環を形成して飽和又は不飽和の多環式シクロペンタジエニル配位子を与え; (JR′z-2)はヘテロ原子配位子であって、Jが元素周期表のVA族からの3の配位数を有する元素又はVIA族からの2の配位数を有する元素であり、各R′は独立して、C1〜C20のヒドロカルビル基、置換されたC1〜C20のヒドロカルビル基であって、1つ以上の水素原子がハロゲン基、アミド基、ホスフィド基、アルコキシ基、又はルイス酸又は塩基官能性を有するその他の基によって置換されているものから成る群から選ばれる基であり、そしてzは元素Jの配位数であり; 各Qは、独立して、ハリド、ヒドリド、又は置換又は未置換のC1〜C20のヒドロカルビル、アルコキシド、アリールオキシド、アミド、アリールアミド、ホスフィド、又はアリールホスフィドから選択される1価のアニオン性配位子であり、或いは両方のQがともにアルキリデン又は環状金属化ヒドロカルビル又は2価のアニオン性キレート化配位子であり; Tは第IVA族又はVA族の元素を含有する共有結合の架橋基であり; Lは中性ルイス塩基であり、wは0乃至3の数である、遷移金属成分を含む触媒系と接触させる工程、及び (ii) 非晶質ポリ-α-オレフィンを回収する工程、 を含む方法。
IPC (3件):
C08F 10/00 MJF ,  C08F 4/642 MFG ,  C08F110/06 MJG
FI (3件):
C08F 10/00 MJF ,  C08F 4/642 MFG ,  C08F110/06 MJG
引用特許:
審査官引用 (1件)

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