特許
J-GLOBAL ID:200903066181954503
エチレン化合物及び構造、及びそれを用いた高密度青色レーザー記憶媒体の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
杉村 興作
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-154607
公開番号(公開出願番号):特開2004-210763
出願日: 2003年05月30日
公開日(公表日): 2004年07月29日
要約:
【課題】エチレン化合物、構造、及び、それを用いた高密度青色レーザー記憶媒体の製造方法を提供する。【解決手段】下記一般式(1)の化学構造を有するエチレン誘導体からなるエチレン化合物。具体的には、たとえば下記構造の化合物が例示される。並びに、信号表面を有する透明基板と、その基板の信号表面上に形成された記録層に、上記のエチレン化合物を用いることを特徴とする高密度青色レーザ記憶媒体。【選択図】なし
請求項(抜粋):
以下の化学構造を有するエチレン誘導体からなるエチレン化合物であって、
IPC (12件):
C07C69/618
, B41M5/26
, C07C229/44
, C07C255/34
, C07C255/35
, C07C255/37
, C07C255/38
, C07C255/42
, C07D209/86
, C07D295/14
, C07F17/02
, G11B7/24
FI (14件):
C07C69/618
, C07C229/44
, C07C255/34
, C07C255/35
, C07C255/37
, C07C255/38
, C07C255/42
, C07D209/86
, C07D295/14 Z
, C07F17/02
, G11B7/24 516
, G11B7/24 522P
, G11B7/24 535H
, B41M5/26 Y
Fターム (24件):
2H111EA03
, 2H111EA25
, 2H111EA32
, 2H111EA33
, 2H111FA14
, 2H111FB42
, 2H111GA05
, 2H111GA11
, 4C204BB09
, 4C204BB10
, 4C204CB25
, 4C204EB01
, 4C204FB03
, 4C204GB19
, 4H006AA01
, 4H006AB76
, 4H006BJ50
, 4H006BT12
, 4H006BU46
, 4H050AB76
, 4H050WB11
, 5D029JA04
, 5D029JB13
, 5D029LB11
引用特許:
引用文献:
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