特許

J-GLOBAL ID：200903066181986820

ガス供給装置および方法

発明者： 住田 賢二
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 松村 博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-162343
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354454
出願日： 1998年06月10日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【課題】 反応室内に吹き出すガス流量を効果的に制御することにより、反応室内のガス分布を均一にすることができるガス供給装置および方法を提供する。【解決手段】 半導体製造装置における反応室1内にガスを導入する複数のガス吹き出し装置5,6と、それぞれのガス吹き出し装置5,6にガスを供給するガス供給装置7,8と、反応室1内の複数箇所におけるガス圧力を測定する複数のガス圧力計9,10,11,12と、ガス供給装置7,8のガス流量を制御するマイクロコンピュータ13を備え、複数のガス圧力計9,10,11,12の各々の測定値が略同等になるようにマイクロコンピュータ13によりガス供給装置7,8の供給ガス流量を制御するようにしたものである。

請求項（抜粋）：

半導体製造装置における反応室内にガスを導入する複数のガス吹き出し手段と、前記それぞれのガス吹き出し手段にガスを供給するガス供給手段と、反応室内の複数箇所におけるガス圧力を測定する複数のガス圧力測定手段と、前記ガス供給手段のガス流量を制御するマイクロコンピュータを備え、前記複数のガス圧力測定手段の各々の測定値が略同等になるように前記マイクロコンピュータにより前記ガス供給手段の供給ガス流量を制御することを特徴とするガス供給装置。