特許

J-GLOBAL ID：200903066183242152

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 山田 誠司 ,  吉川 邦良
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-102026
公開番号（公開出願番号）：特開平6-309884
出願日： 1993年04月28日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：

【要約】【目的】この発明は、電荷蓄積部へ電子を注入した後において、セルのしきい値バラツキが小さくなる不揮発性半導体記憶装置を提供するものである。【構成】電荷蓄積部に蓄えられた電子の量によりデータを記憶するメモリセル12を複数個、行列状に配列したメモリセルアレイ14と、このメモリセル12に記憶されたデータを消去する為のデ-タ消去回路24とを有し、このデ-タ消去回路24が電荷蓄積部に電子を注入させるためのF-Nトンネル注入制御回路26と、これにより電子を注入した後、前記電荷蓄積部に電子または正孔をアバランシェ・ホットキャリア注入させるためのアバランシェ・ホットキャリア注入制御回路28とから構成されていることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

電荷蓄積部を有し、この電荷蓄積部に蓄えられた電子の量によりデータを記憶するメモリセルと、このメモリセルを複数個、行列状に配列したメモリセルアレイと、前記電荷蓄積部に電子を注入する第1の注入手段、および前記第1の注入手段により電子が注入された後、前記電荷蓄積部に電子または正孔をアバランシェ・ホットキャリア注入する第2の注入手段とから成る前記メモリセルに記憶されたデータを消去する消去手段とを具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

G11C 16/06 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

G11C 17/00 309 C ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371