特許

J-GLOBAL ID：200903066183791725

荷電粒子線描画装置及び方法、ならびにデバイス製造方法

発明者： 村木 真人
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-258236
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091201
出願日： 1998年09月11日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】 真空排気時のウエハの冷えに起因するスループット低下の問題を解消すべく改良を加えた荷電粒子線描画装置を提供する。【解決手段】 荷電粒子線を用いて基板上に描画パターンを描画する荷電粒子線描画装置において、基板を描画処理する為の真空の処理室100と、処理室100にゲートバルブGV1を介して接続された真空可能な予備室200と、予備室200内に載置された基板に光を照射して基板を加熱する加熱手段9とを有する。

請求項（抜粋）：

荷電粒子線を用いて基板上に描画パターンを描画する荷電粒子線描画装置において、前記基板を描画処理する為の真空の処理室と、前記処理室にゲートバルブを介して接続された真空可能な予備室と、前記予備室内に載置された前記基板に光を照射して前記基板を加熱する加熱手段と、を有することを特徴とする荷電粒子線描画装置。

FI (2件)：

H01L 21/30 541 L ,  H01L 21/30 541 P

Fターム (5件)：

5F056BA10 ,  5F056CD05 ,  5F056DA26 ,  5F056EA12 ,  5F056EA14