高周波電力増幅回路

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：野村泰久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-234644
公開番号（公開出願番号）：特開平10-065465
出願日： 1996年08月19日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】この発明は、半導体デバイスを用いた、F級動作を実現するマイクロ波電力増幅回路で必要となる整合回路に関するものであって、高調波制御回路(例えば、オープン・スタブ)による短絡点から実際のFET出力端との間に存在する位相差に着目し、実際のFET出力端で第2高調波が短絡となるようにして、FET内部で発生した第2高調波と上記短絡点からの反射波が丁度打ち消し合うようにしたものである。【解決手段】この発明に係るマイクロ波電力増幅回路は、半導体増幅素子(FET)の出力側基本波整合回路の入力端、もしくは出力端に、第2高調波に対して短絡となる高調波制御回路(例えば、オープン・スタブ)を接続し、前記半導体素子から該短絡点までの伝送線路の長さ(位相)を調整することにより、前記半導体素子の電力効率を最大にする。

請求項（抜粋）：

半導体増幅素子の第2高調波を抑制するマイクロ波電力増幅回路において、前記半導体素子の出力側基本波整合回路の入力端、もしくは出力端に前記第2高調波に対して短絡点となる高調波制御回路を接続し、前記半導体素子の出力端から前記短絡点までの伝送線路の長さ(位相)を調整することにより、前記半導体素子の電力効率を最大にしたことを特徴とするマイクロ波電力増幅回路。

IPC (2件)：

H03F 3/60 , H01P 5/02 603

FI (2件)：

H03F 3/60 , H01P 5/02 603 E

引用特許：

審査官引用 (6件)

高効率増幅回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-233010 出願人：日本電気株式会社
高調波抑圧回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-266885 出願人：三菱電機株式会社
高周波増幅器
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-016274 出願人：エヌ・ティ・ティ移動通信網株式会社

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