特許

J-GLOBAL ID：200903066190387409

液晶表示装置とその製造方法

発明者： 川崎 清弘
出願人/特許権者： 廣輝電子股▲ふん▼有限公司
代理人 (1件)： クオンタ・ディスプレイ・ジャパン株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-109729
公開番号（公開出願番号）：特開2004-319655
出願日： 2003年04月15日
公開日（公表日）： 2004年11月11日
要約：

【課題】従来の製造工程数を削減した製造方法では製造裕度(マージン)が小さく歩留が低下する。【解決手段】半導体層の島化工程とゲート絶縁層への開口部形成工程をハーフトーン露光技術の導入により合理化する新規技術と、公知技術であるソース・ドレイン配線の陽極酸化工程にハーフトーン露光技術を導入することで電極端子の保護層形成工程を合理化する新規技術と、公知技術である絵素電極と走査線とを同時に形成する合理化技術との組合せによりTN型液晶表示装置とIPS型液晶表示装置の4枚マスク・プロセス案と3枚マスク・プロセス案を構築する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に1層以上の第1の金属層よりなるゲート電極が形成され、ゲート電極上に1層以上のゲート絶縁層を介して不純物を含まない第1の半導体層が島状に形成され、前記第1の半導体層上にゲート電極と一部重なり合って絶縁ゲート型トランジスタのソース・ドレインとなる1対の不純物を含む第2の半導体層が形成され、前記第2の半導体層上とゲート絶縁層上とに耐熱金属層を含んで1層以上の陽極酸化可能な金属層よりなるソース・ドレイン配線が形成されるとともに、ソース配線の電気的接続領域を除いてソース・ドレイン配線上とチャネル上とに陽極酸化層が形成されていることを特徴とするボトムゲート型の絶縁ゲート型トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L21/336 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786

FI (3件)：

H01L29/78 627C ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78 612D

Fターム (47件)：

2H092GA14 ,  2H092GA51 ,  2H092GA60 ,  2H092HA04 ,  2H092HA06 ,  2H092JA26 ,  2H092JA35 ,  2H092JA46 ,  2H092KA05 ,  2H092KA12 ,  2H092MA08 ,  2H092MA16 ,  2H092MA24 ,  2H092NA29 ,  2H092PA02 ,  5F110AA16 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE44 ,  5F110FF03 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110GG25 ,  5F110GG45 ,  5F110GG58 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HK35 ,  5F110HK42 ,  5F110NN24 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ02