特許

J-GLOBAL ID：200903066194717721

スピン・バルブ効果による磁気抵抗センサおよびその利用システム

発明者： バーナード・ディーニー ,  ブルース・アルヴィン・ガーニー ,  セルハト・メティン ,  スチュアート・スチーヴン・パプワース・パーキン ,  ヴァージル・サイモン・スペリオス
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 頓宮 孝一 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-006095
公開番号（公開出願番号）：特開平6-060336
出願日： 1992年01月17日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：

【要約】【目的】弱い印加磁場においても高い磁気抵抗(MR)応答性を有する、スピン・バルブ効果によるMRセンサおよびその利用システムの提供。【構成】MRセンサは、基層11上に形成され、強磁性材料の第一の薄膜層12および第二の薄膜層16が、Cu,AuまたはAg等の非磁性金属材料の薄膜層14によって分離され、層構造を成している。このうち、第一と第二の薄膜層のうち少なくとも一方はCoまたはCo合金である。第一の薄膜層の磁化方向は、印加磁場がゼロの状態では、定位置に固定された第二の薄膜層の磁化方向に対して、ほぼ90度の方向にセットされる。第一の薄膜層の磁化方向が回転することによりセンサを介して電流が生じ、そのMRセンサの比抵抗の両端電圧の変化から磁場を感知する。交換バイアス材料の薄膜層18がさらに置かれることもある。

請求項（抜粋）：

基層(11)および前記基層上に形成された層構造を有し、前記層構造が非磁性金属材料薄膜の層(14)によって分離された強磁性材料の第一の薄膜層(12)および第二の薄膜層(16)を有し、前記第一の薄膜層および第二の薄膜層の少なくとも一方がコバルトおよびコバルト合金から成るグループから選ばれた材料で形成されており、印加磁場がゼロの状態において前記第一の薄膜層の磁化の方向が前記第二の薄膜層の磁化の方向に対してほぼ垂直になるようにされている、磁気抵抗センサと、前記磁気抵抗センサに電流を流す手段と、感知する磁場に応じた前記第一の薄膜層および前記第二の薄膜層の磁化の回転差に基づく前記磁気抵抗センサの比抵抗における変化を感知する手段とを有する、磁気抵抗感知システム。

IPC (2件)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/16