特許

J-GLOBAL ID：200903066202009189

不揮発性記憶素子およびこの素子の製造方法ならびにこの素子を利用した不揮発性記憶装置およびその駆動方法

発明者： 小澤 孝典
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 稲岡 耕作 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-272084
公開番号（公開出願番号）：特開平6-125094
出願日： 1992年10月09日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 情報の書き込み時における書込ディスターブを防止できるメモリトランジスタの提供を目的とする。【構成】 メモリトランジスタのONO膜34及びゲート電極35と、ソース領域31との間の予め定める領域にオフセット領域を形成すべく、ONO膜34及びゲート電極35をソース領域31と所定の間隔Dをあけて配置した。なお、レジストを塗布したゲート電極35上で斜めに不純物を注入拡散してソース領域31及びドレン領域32を形成して製造する。

請求項（抜粋）：

電荷を蓄積することで情報の記憶を行なう不揮発性記憶素子において、チャネル領域ならびに、そのチャネル領域を挟んでソース領域およびドレイン領域が形成された半導体基板と、上記半導体基板上の、ソース領域と隣接する予め定める領域を除くチャネル領域上に形成された電荷を蓄積するための電荷蓄積膜と、上記予め定める領域を除くチャネル領域上に、電荷蓄積膜を介して設けられたゲート電極とを含むことを特徴とする不揮発性記憶素子。

IPC (4件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 16/02 ,  H01L 27/115

FI (3件)：

H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 307 E ,  H01L 27/10 434