特許

J-GLOBAL ID：200903066205582165

高周波モジュールおよび高周波モジュールの製造方法

発明者： 前田 賢一
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 倉内 義朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-214636
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033419
出願日： 2000年07月14日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：

【要約】【課題】シールドを行うときにも、部品点数の増加を抑制する。【解決手段】基板1上に搭載された電子部品7,8でもって構成された高周波回路部3と、高周波回路部3を電磁遮蔽するシールド被覆とを備えた構成において、電子部品7,8を封入する樹脂モールド4を備え、樹脂モールド4の表面に形成された金属膜5をシールド被覆としている。

請求項（抜粋）：

基板上に搭載された電子部品でもって構成された高周波回路部と、前記高周波回路部を電磁遮蔽するシールド被覆とを備えた高周波モジュールにおいて、前記電子部品を封入する樹脂モールドを備え、前記シールド被覆を、前記樹脂モールドの表面に形成された金属膜としたことを特徴とする高周波モジュール。

IPC (11件)：

H01L 23/28 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/14 ,  H01L 25/16 ,  H04B 1/38 ,  H05K 1/11 ,  H05K 3/00 ,  H05K 3/32 ,  H05K 3/46 ,  H05K 9/00

FI (11件)：

H01L 23/28 F ,  H01L 21/56 R ,  H01L 25/16 B ,  H04B 1/38 ,  H05K 1/11 F ,  H05K 3/00 X ,  H05K 3/32 B ,  H05K 3/46 Q ,  H05K 9/00 Q ,  H01L 23/12 B ,  H01L 23/14 X

Fターム (41件)：

4M109AA01 ,  4M109BA03 ,  4M109CA21 ,  4M109EE08 ,  5E317AA24 ,  5E317CC31 ,  5E317CD27 ,  5E317CD32 ,  5E317GG17 ,  5E319AA03 ,  5E319AC01 ,  5E319CC61 ,  5E319CD26 ,  5E321AA17 ,  5E321AA22 ,  5E321BB23 ,  5E321GG05 ,  5E346AA15 ,  5E346AA51 ,  5E346BB02 ,  5E346BB04 ,  5E346BB06 ,  5E346BB16 ,  5E346BB20 ,  5E346FF45 ,  5E346HH02 ,  5E346HH22 ,  5E346HH31 ,  5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061CA21 ,  5F061CB13 ,  5F061FA02 ,  5K011AA15 ,  5K011DA01 ,  5K011DA03 ,  5K011DA05 ,  5K011DA12 ,  5K011JA01 ,  5K011JA03 ,  5K011KA00