特許

J-GLOBAL ID：200903066205740909

堆積膜形成方法および堆積膜形成装置

発明者： 土田 伸史 ,  橋爪 淳一郎 ,  植田 重教
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 長尾 達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-065040
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236460
出願日： 1995年02月28日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：

【要約】【目的】本発明は、従来のプラズマプロセスでは達成できなかった堆積速度で比較的大面積の基体に均一にプラズマ処理することができ、しかも20MHz乃至450MHzの高周波による成膜においても異常放電を低減することのできる生産性の高い安価な堆積膜形成方法およびその装置を提供することを目的とするものである。【構成】本発明は、上記目的を達成するため、真空気密に形成された反応容器の放電空間内に、原料ガス並びに波形発生器を用いて発生させた高周波電力を導入し、印加手段を介しプラズマを発生させて前記原料ガスを分解し、前記放電空間内に配置された円筒状の被成膜基体上に、堆積膜を形成するようにした堆積膜形成方法およびその装置において、前記波形発生器で放電周波数を周期的に変化させて堆積膜を形成することを特徴とするものである。

請求項（抜粋）：

真空気密に形成された反応容器の放電空間内に、原料ガス並びに波形発生器を含む出力部からの高周波電力を導入し、印加手段を介しプラズマを発生させて前記原料ガスを分解し、前記放電空間内に配置された円筒状の被成膜基体上に、堆積膜を形成するようにした堆積膜形成方法において、前記波形発生器で放電周波数を周期的に変化させて堆積膜を形成することを特徴とする堆積膜形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  G03G 5/08 105 ,  G03G 5/08 360

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/50 ,  G03G 5/08 105 ,  G03G 5/08 360