特許
J-GLOBAL ID：200903066208734543
太陽電池及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-292108
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102509
出願日： 1991年10月11日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、高い発電効率を得られ、しかも欠落率を低くかつ歩留りよく、また再現性良く作成することができる太陽電池及びその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 核形成密度の小さい非核形成面101と、非核形成面101の核形成密度より大きい核形成密度を有する微小にパターニングされた核形成面102とが隣接して配設された自由表面を有する基体と、前記核形成面から結晶成長して発生した複数の核を起点に形成され、6μm以上の平均粒径を持ったIII-V族化合物多結晶108とを有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
核形成密度の小さい非核形成面と、該非核形成面の核形成密度より大きい核形成密度を有する微小にパターニングされた核形成面とが隣接して配設された自由表面を有する基体と、前記核形成面から結晶成長して発生した複数の核を起点に形成され、6μm以上の平均粒径を持ったIII-V族化合物多結晶とを有することを特徴とする太陽電池。
IPC (2件)：
引用特許：
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