特許
J-GLOBAL ID：200903066209679740
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-349314
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204349
出願日： 1992年12月28日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：
【要約】【目的】コンタクト孔への埋め込み特性が良好で、配線工程が簡略化できる半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】配線材料の少なくとも一部としてガリウムを含むアルミニウム合金を用いることにより、アルミニウム合金の低温フロー性を向上させ、コンタクトホール,ビアホールへのアルミニウム合金の埋め込みを良好にした。しかも下地処理が不要で配線工程が簡単である。
請求項（抜粋）：
半導体基板上もしくは下層配線上の絶縁膜にコンタクト孔を有し、該コンタクト孔を介して当該半導体基板もしくは下層配線と接続する上層配線を備えた半導体装置において、前記配線の少なくとも一部の配線材料に、ガリウムを含むアルミニウム合金を用いたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/90
, H01L 21/3205
