特許
J-GLOBAL ID：200903066213334812
結晶系シリコン薄膜の形成方法及びこの膜を用いた光起電力装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
目次 誠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-312151
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163954
出願日： 1992年11月20日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【目的】 所望の凹凸形状を有し、かつ結晶性の良好な結晶系シリコン薄膜を形成する。【構成】 凹凸面3aを有した結晶系シリコンからなる鋳型3を、非晶質シリコン薄膜2の表面に凹凸面3aの凸部が接触するように載せ、非晶質シリコン薄膜2を加熱して固相成長法により結晶化させ、鋳型3の凹凸面3aに対応した凹凸面を有する結晶系シリコン薄膜を形成する。
請求項（抜粋）：
非晶質シリコン薄膜を固相成長法により結晶化して結晶系シリコン薄膜を形成する方法であって;凹凸面を有した結晶系シリコンからなる鋳型を準備する工程と;前記非晶質シリコン薄膜の上に前記鋳型の凹凸面を載せ、非晶質シリコン薄膜の表面に鋳型の凹凸面の凸部を加圧下に接触させる工程と;前記非晶質シリコン薄膜の表面に鋳型の凹凸面の凸部を接触させた状態で、前記非晶質シリコン薄膜を加熱して固相成長法により結晶化させ、鋳型の凹凸面に対応した凹凸面を有する結晶系シリコン薄膜を形成する工程とを備える、結晶系シリコン薄膜の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 A
, H01L 31/04 X
