特許

J-GLOBAL ID：200903066216929728

埋め込み構造半導体レーザ

発明者： 近藤 康洋 ,  山本 ▲みつ▼夫
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-308688
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148669
出願日： 1995年11月28日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】 有機金属気相成長(MOVPE)法を用いた埋め込み構造半導体レーザを提供する。【解決手段】 少なくともn型の導電型を有する第1のクラッド層と;活性層と、p型の導電型を有し第2のクラッド層の一部を構成するp型クラッド層よりなる積層構造を有する、n型半導体基板上に形成されたストライプ状のメサ構造101と;該メサ構造101の両側を埋め込むp型の半導体層7とn型の半導体層8よりなる積層構造と、該メサ構造101及び該積層構造の上に形成され、該p型クラッド層と共に第2のクラッド層を構成するp型オーバークラッド層9と;該p型オーバークラッド層9の上に形成されたp型コンタクト層とを具備した埋め込み構造半導体レーザにおいて、前記積層構造を構成する該p型の半導体層7の一部分であって、前記メサ構造101の側面の全域を覆い、且つ該p型半導体層7の残りの部分に比してキャリヤ濃度が低くなっている低キャリヤ濃度p型緩衝領域102が形成されてなる。

請求項（抜粋）：

少なくともn型の導電型を有する第1のクラッド層と;活性層と、p型の導電型を有し第2のクラッド層の一部を構成するp型クラッド層よりなる積層構造を有する、n型半導体基板上に形成されたストライプ状のメサ構造と;該メサ構造の両側を埋め込むp型の半導体層とn型の半導体層よりなる積層構造と、該メサ構造及び該積層構造の上に形成され、該p型クラッド層と共に第2のクラッド層を構成するp型オーバークラッド層と;該p型オーバークラッド層の上に形成されたp型コンタクト層とを具備した埋め込み構造半導体レーザにおいて、前記積層構造を構成する該p型の半導体層の一部分であって、前記メサ構造の側面の全域を覆い、且つ該p型半導体層の残りの部分に比してキャリヤ濃度が低くなっている低キャリヤ濃度p型緩衝領域が形成されてなることを特徴とする埋め込み構造半導体レーザ。